您是否在半導體芯片制造、外延生長、封裝減薄等核心工藝中，面臨著“精度不足誤判工藝、接觸測量損工件、多層膜量測失真"等導致的高價值芯片報廢、良率下滑難題？WD4000無損測量芯片晶圓薄膜厚度設備，以“無損"核心優勢，精準芯片晶圓薄膜厚度，為半導體企業提供“精準、安全、高效"的全流程解決方案。

一、無損測量的硬核技術

1. 非接觸光學測量架構：集成光譜共焦對射技術、白光干涉光譜分析技術，搭配紅外傳感器，全程無硬質接觸、無探針損傷；

2. 亞納米級量測算法：搭載數值七點相移算法，Z向分辨率達0.1nm，精準捕捉納米級薄膜厚度變化；

3. 多層/多材質適配設計：紅外傳感器通過干涉原理計算多層膜間距，兼容碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等材質，適配鍵合晶圓、外延片等多層結構；

4. 一體化集成模塊：同步覆蓋薄膜厚度、TTV（總體厚度變化）、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多參數測量，支持自動上下料與CCD Mark定位巡航。

二、無損技術帶來的四大核心突破

1. 無損測量，杜絕工件損傷：相較于傳統接觸式探針測量，光學非接觸設計避免劃傷精密晶圓表面、破壞脆弱薄膜層，從源頭減少高價值芯片報廢；

2. 精度拉滿，數據零偏差：亞納米級分辨率+七點相移算法，可精準識別最小納米級薄膜厚度波動，避免因量測誤差導致的工藝誤判；

3. 全場景適配，無測量盲區：紅外傳感器+光譜共焦雙技術協同，輕松破解多層膜、低反射率、粗糙表面晶圓的量測難題，覆蓋半導體前中后道全工藝；

4. 高效集成，降本提效：WD4000無損測量芯片晶圓薄膜厚度設備多參數一體測量無需設備切換，自動上下料+500mm/s高速移動，大幅縮短檢測周期，適配批量生產場景。

三、直擊您的核心訴求，解決您的實際生產難題

四、無損量測的實測數據

（注：本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，如需獲取新產品技術信息可咨詢客服獲取。）

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